40n20场效应管参数,40n20场效应管代换-KIA MOS管
KIA40N20A是一款40A低电流，200V高电压N沟道增强型功率MOS场效应管，以其40A漏极直流电流、200V漏-源电压的特性，一般推荐用于DC-DC电路的产品，还可以用于逆变电路、安防、拉杆音箱、无线充电器。
40n20场效应管具有100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，高雪崩耐量，可靠性高，低Qgd，低RDSon等特点。40n20场效应管可以代换其他品牌场效应管，原厂直销好价。
40n20场效应管参数,40n20场效应管代换资料
RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V
符合RoHS
低电阻
低栅极电荷
快速切换
应用：
DC-DC转换器
用于UPS的DC-AC转换器
开关电源和电机控制
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产品型号：KIA40N20
工作方式：40A/200V
漏源电压：200V
栅源电压：±30V
漏电流连续：40A
脉冲漏极电流：120A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：175W
热电阻：62.5/W
漏源击穿电压：200V
温度系数：0.2/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1560 PF
输出电容：370 PF
上升时间：32 ns
封装形式：TO-220、TO-3P
产品编号：KIA40N20/AB/AH/AP
FET极性：N沟道MOSFET
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