KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ,引脚图-KIA MOS管
KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ,引脚图-KIA MOS管
KCX3310A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流最大为85A；RDS（on）（典型值）=5mΩ@Vgs=10V，3310A采用先进的SGT技术，具有极低的开关损耗、卓越的稳定性、良好的开关特性等优点，适用于电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。封装形式：DFN5*6、TO-263。
KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ引脚图
KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ中文资料
RDS低（打开）和FOM
极低的开关损耗
采用先进的SGT技术
卓越的稳定性和均匀性
快速切换和软恢复
电源切换应用
低导通电阻（典型值）RDS（导通）=5mΩ
硬开关和高频电路
不间断电源
KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ参数详情
漏极-源极电压：100V
连续漏极电流：TO-263 90A/DFN5*6 85A
脉冲漏极电流：TO-263 360A/DFN5*6 340A
雪崩能量：529mJ
栅极-源极电压：±20 V
功率耗散：TO-263 166W/DFN5*6 90W
连接和储存温度范围：-55 to 150℃
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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