电机驱动板场效应管,专用mos管,35P10参数引脚图-KIA MOS管
电机驱动在工业自动化设备中占据核心地位，如果电机驱动发生故障就很容易导致损失，因此对于电机驱动厂家在使用任何元器件时都值得慎重考虑的，例如元器件之一MOS管，选择优质的场效应管可以让电机驱动提升效率，减少损耗。
KIA35P10A是一款自动化设备的电机驱动专用MOS管，采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷。KIA35P10A漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ,RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-252；具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特点，可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能；符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性得到认可。
电机驱动板场效应管,35P10参数引脚图
KIA35P10A特性：
RDS（开）=42mΩ（典型值）@VGS=10V
100%EAS保证
绿色设备可用
超低栅极电荷
出色的Cdv/dt效应下降
先进的高单元密度沟槽技术
电机驱动板场效应管,35P10参数详情
工作方式：-35A/ -100V
栅源电压：±20V
脉冲漏电流:-100A
单脉冲雪崩能量:345mJ
雪崩电流：28A
总功耗：104W
操作和储存温度范围：-55℃至+150℃
漏源击穿电压：-100V
栅源漏电流:±100nA
输入电容：4920pF
输出电容：223pF
反向转移电容：125pF
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴，主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
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