4n90c代换,4n90c场效应管参数,引脚图,大功率900V-KIA MOS管
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4n90c场效应管参数,引脚图
型号：FQPF4N90C
漏源电压（Vdss）：900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.2 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：960 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：47W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
4n90c场效应管参数,4n90c代换KNX4390A参数资料
KNX4390A是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，漏源击穿电压高达900V, 漏极电流4A ,RDS(on) =3.6Ω(typ)@VGS=10V，封装形式为TO-220F、TO-252；先进的工艺使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量。我们推荐这款大功率900V场效应管KNX4390A匹配型号FQPF4N90C代换使用，该产品可广泛应用于仪器仪表、PD快充、电源转换器、马达驱动及电焊机等。
4n90c场效应管参数,4n90c代换KNX4390A特征
RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V
专有新平面技术
低栅极电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
4n90c场效应管参数,4n90c代换KNX4390A规格书
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