095r0nt参数,095r0nt场效应管代换,优质平替-KIA MOS管
095r0nt参数资料
SVG095R0NT N沟道增强型功率MOS场效应晶体管120A，90V，RDS(on)（典型值）=4.4mΩ@VGS=10V；
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：90 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.005 Ω
095r0nt场效应管代换KNX2908B
KNX2908B场效应管采用先进的N沟道沟槽技术，漏源击穿电压80V, 漏极电流最大值为130A ,RDS(on) =5.0mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式是TO-220、TO-263、TO-3P；具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特点，可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能。
KNX2908B这款130A、80V大流量、低电压的MOS管能够代换SVG095R0NT型号来使用。SVG095R0NT代换MOS管KNX2908B广泛应用于DC/DC电源、DC-AC逆变器、开关电源、UPS、BLDC电机驱动及锂电池保护板上。
KNX2908B特性：
VDS=80V，ID=130A，RDS（ON）（典型值）=5.0mΩ@VGS=10V
低Rdson的高密度电池设计
完全表征雪崩电压和电流
稳定性和均匀性好，EAS高
出色的封装，散热良好
095r0nt场效应管代换2908B参数规格书
KIA半导体产生的MOS管场效应管已经广泛应用于智能家居、新能源电子领域：如智能音响、家用电器、LED照明、逆变电源、电瓶车、电脑电源、充电器、汽车电子等行业，竭诚为客户提供优质的产品以及配套服务。可根据客户需求进行量身定制MOS管产品以及免费试样、技术支持。
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