SI2305场效应管参数,2305场效应管引脚图,si2305中文资料-KIA MOS管
2305场效应管参数,引脚图,资料
2305场效应管参数漏源击穿电压-20V，漏极电流为-3.5A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。2305场效应管应用于LED感应灯、玩具、蓝牙音箱，高效率低损耗。
VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5A
VDS=-20V,RDS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0A
VDS=-20V,RDS(on)=0.095Ω@VGS=-1.8V,ID=-1.8A
2305场效应管参数,引脚图,资料
漏源击穿电压：-20V
连续漏电流：-3.5A
脉冲漏极电流：±12A
栅-源电压:±12V
功率耗散:1.25W
接头和存储温度范围:-55 to150℃
输入电容：1245 pF
输出电容：375 pF
反向传输电容：210 pF
开启延迟时间：13ns
关断延迟时间：55ns
上升时间：25ns
下降时间：19ns
2305场效应管参数,引脚图,规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
