p06p03lvg场效应管参数引脚图,p06p03lvg代换-KIA MOS管
p06p03lvg场效应管,p06p03lvg代换KIA7P03A资料
KIA7P03A场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流为-7.5A；采用先进的高密度沟槽技术，具有超低栅电荷、优良的CDV / dt效应递减等；封装形式：SOP-8。
KIA7P03A场效应管非常适合应用于锂电池保护板、智能医疗等产品领域，KIA7P03A场效应管可以代换NIKO-SEM(尼克森) 场效应管P06P03LVG型号进行使用，KIA7P03A是高密度沟槽p-CH MOSFET，提供出色的导通电阻和大多数同步降压转换器应用的栅极电荷。KIA7P03A满足RoHs和绿色产品要求。
p06p03lvg场效应管,p06p03lvg代换KIA7P03A特征
RDS（ON）= 18mΩ（典型值）@ VGS = 10 V
超低栅电荷
绿色的可用设备
优良的CDV / dt效应递减
先进的高密度沟槽技术
p06p03lvg场效应管,p06p03lvg代换KIA7P03A参数
产品型号：KIA7P03A
工作方式：-7.5A/-30V
漏源电压：-30V
栅源电压：±20V
漏电流连续：-7.5A
脉冲漏极电流：-50A
雪崩电流：-38A
雪崩能量：72.2mJ
耗散功率：31W
热电阻：40℃/W
漏源击穿电压：-30V
温度系数：-0.022V/℃
栅极阈值电压：2.5V
输入电容：1345PF
输出电容：194PF
上升时间：19.6ns
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