25n06参数,2n60场效应管参数,25n06代换-KIA MOS管
2n60场效应管参数,25n06代换KIA30N06B
低压小功率MOS管KIA30N06B漏源击穿电压60V，漏极电流为25A，RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V；先进的高密度沟槽技术制造，封装形式：TO-251/252。
KIA30N06B 60V 25A场效应管在HID车灯、LED驱动、医疗器械、警用单车防盗应用领域热销，KIA30N06B3场效应管可以代换RU60E25L、RJK0651DPB、CS25N06B4、NCE60P25K、25n06、FQB30N06L场效应管型号进行使用，优质国产厂家直销。
KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET ,它为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KIA30N06B具有超低端滑盖装、优良的CDV/dt效应递减，满足RoHS和绿色产品要求，100%的EAS保证了全部功能的可靠性。
KIA30N06B应用
高频点同步降压变换器
网络化DC-DC电源系统
负荷开关
2n60场效应管参数,25n06代换KIA30N06B参数
产品型号：KIA30N06
工作方式：25A/60V
漏流电压：60V
栅源电压（连续）：±20V
连续漏电流：25A
脉冲漏极电流：50A
雪崩能量：22.6A
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：60V
温度系数：0.063V/℃
栅极阈值电压：12V
输入电容：1345 PF
输出电容：72.5 PF
上升时间：14.2 ns
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