ncep60t20参数,ncep60t20代换,60V 200A现货直销-KIA MOS管
ncep60t20参数资料
VDS=60V，ID=200A
RDS（ON）=1.8mΩ（典型）@VGS=10V
优秀的栅极电荷x RDS（on）产品
导通电阻极低RDS（接通）
封装：TO-220
NCEP60T20D参数资料
封装 TO-263
栅极电压Vgs ±20V
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.8mΩ
连续漏极电流Id 200A
漏源极电压Vds 60V
Pd-功率耗散(Max) 255W
ncep60t20参数,ncep60t20代换KNX1906
ncep60t20代换场效应管KNX1906漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为230A；RDS (on) = 2.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX1906具有无铅绿色设备、降低导电损耗、高雪崩电流等特性，最大限度地减少导通电阻，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Qg的组合极低，导通和开关功率损耗都被最小化，KNX1906是高频开关、电池管理系统、UPS的理想选择。ncep60t20代换场效应管KNX1906非常适合应用于光伏逆变、电鱼机、锂电池保护板等产品领域。
ncep60t20代换KNX1906参数详情
工作方式：230A/60V
漏源电压：60V
栅源电压：±25V
最高结温：175oC
脉冲漏极电流：880A
雪崩电流:40A
雪崩能量:800mJ
漏源击穿电压:60V
输入电容：6110pF
输出电容：1020pF
反向转移电容:771pF
ncep60t20代换KNX1906规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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