TPH2R608NH参数,tph2r608nh场效应管代换KIA2807N-KIA MOS管
TPH2R608NH参数
类型 N沟道
阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@1mA
漏源电压(Vdss) 75V
连续漏极电流(Id) 150A
功率(Pd) 142W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.6mΩ@10V,50A
栅极电荷(Qg@Vgs) 72nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 6nF@37.5V
tph2r608nh参数场效应管代换KIA2807N资料
KIA2807N场效应管漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；KIA2807N 75V 150A采用超高密度电池设计；超低导通电阻、100%雪崩测试、可提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）；封装形式：TO-247。
KIA2807N 75V 150A场效应管超低导通电阻的高密度电池设计，提供了优越的开关性能，KIA2807N能够代换TPH2R608NH,L1Q进行使用，KIA2807N应用于DC-DC转换器和离线UPS、开关电源中的高效同步整流等领域，可靠、坚固耐用。
tph2r608nh参数场效应管代换KIA2807N参数
漏源电压：75V
栅源电压：±25A
漏电流连续：150A
脉冲漏极电流：600A
雪崩能量单脉冲：784mJ
功耗：350W
漏源击穿电压：75V
栅极阈值电压：3.0V
输入电容：7200PF
输出电容：700PF
上升时间：96ns
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