耗尽型mos管符号、原理、用途-KIA MOS管

MOS管分为结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。但按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。

不同之处：结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

耗尽型：即在0栅偏压时就能够导电的器件，就是说耗尽型MOS管在G端( Gate )不加电压时就有导电沟道存在。

增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，只有当栅极电压的大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应管，也就是说增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道。

工作原理：

耗尽型：当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。即：耗尽型MOS管的VGS (栅极电压)可以用正、零负电压控制导通。

增强型：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。即：增强型MOS管必须使得VGS>VGS (th) (栅极阈值电压)能导通。

耗尽型MOS管结构

①以低掺杂的P型硅片为衬底

②利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区，并引出两个电极，分别为源极s，漏极d

③在半导体上制作一层SiO2绝缘层，在SiO2上制作一层金属铝，引出电极，作为栅极g

④在SiO2绝缘层中掺入大量正离子，那么即使Ugs=0,在正离子作用下，P衬底的表面会有电子汇聚，也会形成反型层，造成漏-源之间存在导电沟道。

⑤只要在d-s之间加电压，就会产生漏极电流。 (Ugs＞Ugs(off))

⑥Ugs为正时，反型层变宽，导电沟道电阻降低

⑦当Ugs从零减小到一定值时，反型层消失，漏-源之间的导电沟道消失，此时Ugs称为夹断电压Ugs(off)

⑧Ugs可以在正、负值得一定范围内实现对id的控制，且任然保持栅-源之间的绝缘电阻。

两类耗尽型MOS管

通过导电沟道所带电荷判断(箭头所指的就是N沟道)

导电沟道为N则为N沟道耗尽型MOS管

导电沟道为P则为P沟道耗尽型MOS管

耗尽型功率MOS管用途

固态继电器

如图所示，耗尽型MOSFET在实现以固态继电器（SSR）取代机械继电器（EMR）的负载开关方面表现出色。固态继电器的主要优点是不受磁场影响，由于没有机械触点而具有更高的可靠性，并且节省了PCB占用空间。医疗设备、工业自动化、测量和测试设备以及消费电子等应用都广泛使用固态继电器。

开关型电源的启动电路 - SMPS

SMPS传统启动电路方法是通过功率电阻和齐纳二极管。在这种方法中，即使在启动阶段之后，功率电阻也会持续消耗功率，这导致PCB上的热量过高，工作效率低下，以及SMPS输入工作电压范围受到限制。可以采用基于耗尽型MOSFET的方法来替代，如图所示。

耗尽型MOSFET提供PWM IC所需的初始电流以启动运作。在启动阶段之后，辅助绕组将生成PWM IC所需的功率。在正常运行期间，耗尽型MOSFET由于静态电流较低，因而所消耗的功率最少。

这种方法的主要优势是在启动序列操作之后的功耗理论值为零，从而提高了整体效率。此外，所占用的PCB面积更小，并可实现宽泛的直流输入电压范围，这对许多应用（如太阳能逆变器）是至关重要的。

用于SMPS启动电路的耗尽型MOSFET

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