nce01p18k参数及代换,nce01p18k引脚图,KIA23P10A-KIA MOS管
nce01p18k参数,nce01p18k引脚图
VDS =-100V,ID =-18A
RDS(ON) <100mΩ @ VGS=-10V (Typ:85mΩ)
RDS(ON) <120mΩ @ VGS=-10V (Typ:95mΩ)
漏源极击穿电压（最大）：-100V
连续漏极电流（最大）：-18A
功率耗散（最大）：70W
栅源极击穿电压：20V
漏源导通电阻（典型值）(10V)：85mΩ
封装：TO252
nce01p18k参数代换KIA23P10A中文资料
nce01p18k参数代换KIA23P10A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流为-23A，RDS（ON）=78mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA23P10A采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷，广泛应用电动车报警器、开关等领域。KIA23P10A符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，可靠、坚固耐用，封装形式：TO-252。
nce01p18k参数代换KIA23P10A特性
RDS（ON）=78mΩ（典型值）@VGS=10V
100%EAS保证
绿色设备可用
超低栅极电荷
出色的Cdv/dt效应下降
先进的高单元密度沟槽技术
nce01p18k参数代换KIA23P10A参数详情
工作方式：-23A/-100V
漏源电压：-100V
栅源电压：±20V
漏电流连续：-23A
脉冲漏极电流：-75A
雪崩电流：18.9A
雪崩能量：157.2mJ
耗散功率：96W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：-100V
温度系数：-0.022V/℃
栅极阈值电压：-1.2V
输入电容：3029PF
输出电容：129PF
上升时间：53.6ns
nce01p18k参数代换KIA23P10A规格书
KIA半导体MOS管具备强大的核心竞争力，是开关电源生产厂家的优质选择。KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复二极管；广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域；可申请免费送样以及报价、技术支持服务。
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