NCE01P30K参数及代换,NCE01P30K引脚资料PDF-KIA MOS管
电机驱动在工业自动化设备中占据核心地位，如果电机驱动发生故障就很容易导致损失，选择优质的场效应管可以让电机驱动提升效率，减少损耗。NCE01P30K代换场效应管KIA35P10A是一款电机驱动专用MOS管，采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷。KIA35P10A漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ,RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-252。
NCE01P30K参数,引脚图
VDS =-100V,ID =-30A
RDS(ON) <58mΩ @ VGS=-10V (Typ:44mΩ)
RDS(ON) <65mΩ @ VGS=-4.5V (Typ:48mΩ)
漏源电压(Vdss)：-100V
连续漏极电流(Id)：-30A
功率(Pd)：120W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：58mΩ@10V,15A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
NCE01P30K参数代换KIA35P10A引脚图
KIA35P10A特性：
RDS（开）=42mΩ（典型值）@VGS=10V
100%EAS保证
绿色设备可用
超低栅极电荷
出色的Cdv/dt效应下降
先进的高单元密度沟槽技术
NCE01P30K参数代换KIA35P10A参数详情
工作方式：-35A/ -100V
栅源电压：±20V
脉冲漏电流:-100A
单脉冲雪崩能量:345mJ
雪崩电流：28A
总功耗：104W
操作和储存温度范围：-55℃至+150℃
漏源击穿电压：-100V
栅源漏电流:±100nA
输入电容：4920pF
输出电容：223pF
反向转移电容：125pF
KIA35P10A场效应管-100V,-35A能够代换CMD5950、NCE01P30K、DH100P30型号进行使用，KIA35P10A具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特点，可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，广泛应用于电动车报警器、开关等领域；符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性得到认可。
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