nce0117k参数,nce0117k代换,KIA6110A中文资料-KIA MOS管
nce0117k参数,引脚图
VDS=100V，ID=17A
RDS（on）<70mΩ @ VGS=10V（Typ：56mΩ)
RDS（on）<85mΩ @ VGS=4.5V（Typ：65mΩ)
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：17A
功率(Pd)：55W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V,5A
阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
KIA6110A代换nce0117k参数资料
KIA6110是性能出色的沟槽N沟道MOSFET，先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压100V，漏极电流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应设计等特性，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。KIA6110A 12A 100V场效应管能够代换nce0117k型号使用，高效稳定。
KIA6110A 12A 100V场效应管封装形式：TO-252/251，出色的封装，散热良好，符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性获得批准。KIA6110A广泛应用于防盗器、LED驱动、雾化器等产品；其他热销领域有负载同步降压变换器高频点、联网DC-DC电源系统、负载开关等。
KIA6110A代换nce0117k参数
漏源电压：100V
栅源电压：±20V
漏电流连续：12A
脉冲漏极电流：24A
雪崩电流：11A
雪崩能量：7.3mJ
耗散功率：34.7W
热电阻：3.6℃/W
漏源击穿电压：100V
温度系数：0.098V/℃
栅极阈值电压：1.0V
输入电容：1535 PF
输出电容：60 PF
上升时间：8.2 ns
KIA6110A代换nce0117k规格书
KIA半导体MOS管具备强大的核心竞争力，是开关电源生产厂家的优质选择。KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复二极管；广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域；可申请免费送样以及报价、技术支持服务。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
