NCE0106R参数,NCE0106R代换,场效应管KIA4610A-KIA MOS管
NCE0106R参数，引脚图
VDS=100V，ID=6A
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：6A
功率(Pd)：3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@10V,5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
NCE0106R代换场效应管KIA4610A
KIA4610A是采用先进的高单元密度沟槽式N沟MOSFET，漏源击穿电压100V，漏极电流7.5A，RDS(on)=16mΩ(typ)@VGS=10V，以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)，降低开关损耗、高效可靠，KIA4610A能够代换NCE0106R型号，广泛在开关、逆变器、电动工具、保护板应用领域热销，满足RoHs和绿色产品的要求。KIA4610A 7.5A 100V SOP-8出色的封装，散热良好。
NCE0106R代换场效应管KIA4610A参数
漏源电压：100V
栅源电压：±20A
漏电流连续：7.5A
脉冲漏极电流：40A
雪崩电流：18A
雪崩能量：16mJ
耗散功率：2.5W
漏源击穿电压：100V
栅极阈值电压：2.5V
输入电容：1930PF
输出电容：245PF
开启延迟时间：11.5ns
关断延迟时间：42ns
上升时间：29ns
下降时间：18ns
NCE0106R代换场效应管KIA4610A规格书PDF
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