RC复位电路图,RC复位电路设计-KIA MOS管
如下图所示，R1与C1组成积分电路，R2与C2组成微分电路。
在应用中经常会使用RC对单片机进行复位设计，比如Vo接单片机复位端，单片机有的需要低电平复位，而有的需要高电平复位，复位的时间也有明确的要求，下面分享2个案例。
设计一
1.要求低电平复位
2.低于1V以下维持10ms+
要求低电平复位，即选择RC积分电路，因为上电瞬间C1呈短路状态，所以Vo为低电平，由于电阻R1的存在，使Vo从0V电平呈指数规律慢慢上升，当上升到1V的时间要求大于10ms。
计算过程：
选常用电容参数4.7uf即可达到要求，在实际应用中还需要考虑一些余量，比如电阻、电容参数存在误差，5V电压也存在误差，会造成时间改变。
设计二
1.要求高电平复位
2.高于4V以上维持10ms+
要求高电平复位，即选择RC微分电路，因为上电瞬间C2呈短路状态，所以Vo为5V电平，由于电阻R1的存在，使Vo电平从5V呈指数规律慢慢下降，当下降到4V时要求大于10ms。
计算过程并没有多大差异，只是第一个公式稍稍变化。
模拟仿真，积分电路由R1和C1组成，从Vo1输出，为方便观察和对比，将微分电路C2和R2一起接入，由Vo2输出。
仿真原理图如下图2所示，仿真结果波形如下图3所示：
仿真图3中的绿线为积分电路输出Vo1，红线为微分电路输出Vo2。可以看到，绿线（积分输出Vo1）在1.02V左右时的时间为10.7ms，红线（微分输出Vo2）在4.02V左右的时间为10.1ms，说明符合设计要求。
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