irf630场效应管参数,irf630参数及代换,irf630引脚图-KIA MOS管
irf630场效应管参数,引脚图
漏极至源极电压(Vds)：200V
栅-源电压:±20V
连续漏极电流(Id):9A
功耗(Pd):75W
栅极阈值电压为3V
350mohm低导通电阻，Vgs 10V
irf630代换,KIA4820N场效应管
KIA4820N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，RDS（ON）=260mΩ@VGS=10V；KIA4820N可以代换irf630型号使用，封装形式：TO-220、TO-252便于安装和使用，高效稳定。
KIA4820N 200V 9A场效应管采用专有的新型平面技术，具有优异的RDS（ON）、低栅极电荷使开关损耗最小化，快速恢复体二极管、快速切换；广泛应用于LED驱动、CRT、电视/监视器等领域。
irf630代换,KIA4820N参数详情
工作方式：9A/200V
漏源电压：200V
漏极电流：9.0A
栅源电压：±20V
脉冲漏极电流：36A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：83W
栅极阈值电压：4V
输入电容：670PF
输出电容：78PF
irf630代换,KIA4820N规格书
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