IRF640场效应管参数,代换,KIA6720N中文资料-KIA MOS管
IRF640场效应管参数
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散: 125 W
正向跨导-最小值: 11 S
下降时间: 25 ns
上升时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
IRF640参数代换,KIA6720N场效应管
KIA6720N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代换IRF640型号使用，封装形式：TO-220，低热阻和低成本，便于安装和使用。
KIA6720N 200V 18A场效应管符合RoHS、低导通电阻、低栅极电荷使开关损耗最小化、峰值电流与脉冲宽度曲线，高效稳定，广泛应用于逆变器、CRT、电视/监视器等领域。
IRF640参数代换,KIA6720N参数详情
漏源电压：200V
栅源电压：±20A
漏电流连续：18A
脉冲漏极电流：72A
雪崩能量：1000mJ
耗散功率：156W
热电阻：62℃/V
漏源击穿电压：200V
栅极阈值电压：2V
输入电容：1256PF
输出电容：158PF
上升时间：33ns
IRF640参数代换,KIA6720N规格书
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