irf740场效应管参数代换,irf740引脚图,KNX6140A-KIA MOS管
irf740场效应管参数引脚图
最大漏极-源极电压（VDS）：400V
最大漏极电流（ID）：10A
最大功率耗散（PD）：110W
静态漏极-源极电阻（RDS(on)）：0.55Ω
门极-源极电压（VGS）范围：±20V
最大导通电阻温度系数（dRDS(on)/dT）：0.035Ω/℃
irf740场效应管参数代换,KNX6140A介绍
KNX6140A场效应管采用专有平面新技术，漏源击穿电压400V，漏极电流10A，RDS(ON)，typ.=0.35Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代换irf740型号使用，具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限度地减少导通损耗。
KNX6140A 400V 10A场效应管专为高压、高速功率开关应用而设计，广泛应用于镇流器、照明、交直流变换器等领域，封装形式：TO-220，便于安装和使用；KIA半导体国产原厂现货直销。
irf740场效应管参数代换,KNX6140A参数
漏源电压：400V
漏极电流10A
门-源电压:±30V
单脉冲雪崩能量：650mJ
峰值二极管恢复dv/dt：5.0V/ns
功耗：140/45W
输入电容：1254pF
输出电容：150pF
反向转移电容：21pF
开通延迟时间：14nS
上升时间：25nS
关断延迟时间：44nS
下降时间：28nS
irf740场效应管参数代换,KNX6140A规格书
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