低压MOS管KNX8606B,35A 60V,超低内阻场效应管-KIA MOS管
KNX8606B,35A 60V,场效应管资料
KNX8606B 35a 60v参数这款功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。
这项先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合低电压应用，例如DC/DC转换器和用于便携式和电池操作产品中的功率管理的高效开关。
KNX8606B场效应管漏源击穿电压高达60V，漏极电流35A，RDS（开）典型值=15mΩ@VGS=10V；具有低栅极电荷（典型33nC）、高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，高效率低损耗。
KNX8606B 35a 60v场效应管性能出色，适用于多种应用领域；广泛应用于电源适配器、LED电源、DC/DC转换器等产品。KNX8606B的封装形式：TO-252，方便安装和使用。KNX8606B是由KIA半导体原厂直销的，保证了产品的质量和可靠性。
KNX8606B场效应管参数详情
漏源电压：60V
漏极电流：35A
栅源电压（连续）：±20V
脉冲漏极电流：80A
雪崩能量：450mJ
功耗：60W
栅极阈值电压：2.5V
输入电容：2800 PF
输出电容：200 PF
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：60nS
上升时间：105 ns
下降时间：65ns
KNX8606B场效应管参数规格书
KIA半导体MOS管具备强大的核心竞争力，是开关电源生产厂家的优质选择。KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复二极管；广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域；可申请免费送样以及报价、技术支持服务。
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