30h10k场效应管参数引脚图,代换,LED,保护板mos选型-KIA MOS管
30h10k场效应管参数引脚图,代换,LED,保护板mos选型-KIA MOS管
30h10k场效应管参数引脚图
VDS =30V,ID =100A
RDS(ON) <5.5mΩ @ VGS=10V (Typ:4mΩ)
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：100A
功率(Pd)：110W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
30h10k场效应管代换,LED,保护板mos管KND3203B
KND3203B场效应管采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术，漏源击穿电压30V，漏极电流100A，RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V，提供低栅极电荷的优异RDS（ON），能够替代30h10k型号进行使用，封装形式：TO-252，在锂电池保护板、小功率LED等领域热销，高效率低损耗。KND3203B代换30h10k场效应管还可以用于电机控制与驱动、电池管理、UPS等应用领域。
KNX3403A 30V 100A场效应管具有极低通阻RDS(通)、快速切换特点，低Rds开启以最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗等特性，符合JEDEC标准，确保锂电池保护板的性能稳定可靠。
30h10k场效应管代换,KND3203B参数
漏源极电压：30V
漏极电流：100A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：320A
雪崩能量单脉冲：256MJ
最大功耗：101W
栅极阈值电压：2V
输入电容：2340PF
输出电容：460PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：34nS
上升时间：102ns
下降时间：95ns
30h10k场效应管代换,KND3203B规格书
KIA半导体MOS管具备强大的核心竞争力，是开关电源生产厂家的优质选择。KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复二极管；广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域；可申请免费送样以及报价、技术支持服务。
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