去耦电路：去耦旁路电路图分享-KIA MOS管
去耦电路指的是在多级放大电路(集成电路芯片内部大多也是由各种多级放大电路组成)的供电电源端对地所加的旁路电容。其容量大可到几十、上百微法 ,小也要0.1,0. 01微法。
加这个电容有什么作用呢?主要是防止来自直流电源内部的祸合使放大器自激,这也就是“去耦”这个名称的含意。
去耦电路在电子产品中是应用最多的，几乎所有的多级放大器、不管是分立器件或集成电路都需要去耦电路。
多个电容组成的去耦旁路电路
在实际应用中，电容不仅仅是理想的电容C，还具有等效串联电阻ESR及等效串联电感ESL，如下图所示为实际的电容器的简化模型：
在高速电路中使用电容需要关注一个重要的特性指标为电容器的自谐振频率，电容自谐振频率公式表示为：
自谐振频率点是区分电容器是容性还是感性的分界点，低于谐振频率时电容表现为电容特性，高于谐振频率是电容表现为电感特性，只有在自谐振频率点附近电容阻抗较低，因此，实际去耦电容都有一定的工作频率范围，只有在其自谐振频率点附近频段内，电容才具有很好的去耦作用，使用电容器进行电源去耦时需要特别注意这一点。
电容的特性阻抗可表示为：
可见大电容（1uF）的自谐振点低于小电容(10nF)，相应的，大电容对安装的PCB电路板上产生的寄生等效串联电感ESL的敏感度小于小电容。
所以，小电容应该尽量靠近IC的电源引脚摆放，大电容的摆放位置相对宽松一些，但都应该尽量靠近IC摆放，不能离IC距离太远，超过其去耦半径，便会失去去耦作用。正确方法如下图：
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