场效应管开关电路,电路设计图文分享-KIA MOS管
场效应管开关电路
下图所示的电路中，增强型 N 沟道mos管用于切换简单的灯“ON”和“OFF”（也可以是 LED）。
栅极输入电压VGS被带到适当的正电压电平以打开器件，因此灯负载要么“打开”，（V GS = +ve），要么处于将器件“关闭”的零电压电平，（VGS = 0V）。
如果灯的电阻负载要由电感负载（如线圈、螺线管或继电器）代替，则需要与负载并联一个“续流二极管”，以保护mos管免受任何自生反电动势的影响。
这是一个非常简单的电路，用于切换电阻负载，例如灯或 LED。但是，当使用功率mos管切换感性或容性负载时，需要某种形式的保护来防止mos管器件受损。驱动感性负载与驱动容性负载的效果相反。
例如，没有电荷的电容是短路的，导致高“涌入”电流，当我们从感性负载上移除电压时，随着磁场崩溃，我们会产生很大的反向电压，从而导致感应绕组中的感应反电动势。
场效应管开关电路二
一个简单的电路，其中 N 沟道增强模式mos管将打开或关闭灯。为了将mos管用作开关，它必须工作在截止和线性（或三极管）区域。
假设设备最初是关闭的。栅极和源极之间的电压，即 V GS适当地设为正值（从技术上讲，V GS > V TH），MOSFET 进入线性区域并且开关导通。这使灯打开。
如果输入栅极电压为 0V（或技术上 < V TH），则mos管进入截止状态并关闭。这反过来会使灯关闭。
场效应管开关电路三
两种MOS管的典型应用：
第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；
第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。
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