锂电池保护板MOS管,KNX3303B参数引脚图,30V 90A-KIA MOS管
保护板MOS管,KNX3303B中文资料
KNX3303B是一款漏极电流90A,漏源击穿电压30V的场效应管,RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)@VGS=10V ,极低导通电阻RDS(On)能够减少导通损耗,还具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力。封装形式:DFN5*6。
KNX3303B 参数90A 30V功率MOSFET是使用KIA先进的TRENCH技术生产的。这项先进的技术经过特别定制,可最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。KNX3303B场效应管在锂电池保护板领域热销,也非常适合用于PWM应用、负载开关、电源管理等产品,能够提供高效的电能转化,优化电池的充电和放电过程,延长电池使用寿命,高效率和高可靠性。
保护板MOS管,KNX3303B参数:
漏源极电压:30V
漏极电流:90A
栅源电压:±20V
脉冲漏电流:360A
雪崩能量单脉冲:342MJ
最大功耗:68W
栅极阈值电压:2V
输入电容:4002PF
输出电容:438PF
开通延迟时间:15nS
关断延迟时间:42nS
上升时间:19ns
下降时间:11ns
保护板MOS管,KNX3303B规格书
是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业,KIA半导体MOS管具备强大的核心竞争力,是开关电源生产厂家的优质选择。KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营:场效应管(MOS管)、COOL MOS(超结场效应管)、三端稳压管、快恢复二极管;广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域;可申请免费送样以及报价、技术支持服务。
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