单结晶体管符号,原理,单结晶体管触发电路-KIA MO管
单结晶体管介绍
单结晶体管（UJT）又称基极二极管，是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。
单结晶体管是一种利用PN结特性的半导体器件，它的工作原理基于PN结的电子输运和控制。单结晶体管主要由三个区域组成：发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector），这些区域分别对应不同的半导体类型：P型、N型和N型。
放大作用：当输入信号作用于基区时，会改变基区中的电子云密度，进而影响基区的导电性。如果信号为正向偏置，基区中的电子密度增加，导致基区的导电性增强，从而增加从发射区流向基区和集电区的电流，实现信号的放大。
开关作用：当输入信号为反向偏置时，基区中的电子密度减少，导电性减弱，电流从发射区流向基区的流动降低，使单结晶体管进入关闭状态，输出电流减小。
单结晶体管的其他重要特性参数包括饱和电流（Is）和截止频率（fT）。饱和电流是指在特定条件下，如发射区与基区之间的电压达到一定程度时，电流能够达到的最大值，它决定着单结晶体管的放大能力。截止频率则是单结晶体管能够放大的最高频率，超过这一频率后，放大效果会明显下降。
单结晶体管触发电路
UT可用于用于产生脉冲以教发TRIAC的张地振荡器，电路如下:
电路中，施加的交流电压使用桥式整流器进行整流，并使用齐纳二极管进行调节。该稳压直流电压被施加到电容器上,电容器开始通过可变电阻器充电。
一旦电容器电压达到峰值或阈值电压，UJT开始导通，电容器开始通过UJT和变压器初级放电，并在变压器次级产生脉冲电压,该脉冲电压被提供给栅极SCR来触发它。一旦触发SCR,它将开始导通，而与任何栅极电压无关。
单结晶体管触发电路二
电路组成
①，同步降压变压器T，作用是把220v交流电降压，且相位和市电一致。
②，桥式整流电路，把交流电变为脉动直流电。
③，稳压二极管Vw和Rw作用是削波，把脉动直流变为梯形波。
④，R是限流电阻，它的大小直接影响电容器c的充电速度，进一步影响晶闸管的控制角和导通角。
⑤，单结晶体管，和电阻R，电容器c，电阻R1组成弛张振荡器，为晶闸管提供触发脉冲。
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