电源模块选型1200v,KNX42120A场效应管参数-KIA MOS管
电源模块选型1200v,KNX42120A
电源模块热销KNX42120A高压场效应管具有漏源击穿电压高达1200V和漏极电流可达3A的特点，RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V；还具有低栅极电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，可以有效地减少开关损耗，快速恢复体二极管，使其具备更高的性能，符合RoHS标准，提供多种封装形式，包括TO-220、TO-220F和TO-252，以满足不同应用场景的需求。KNX42120A场效应管广泛适用于适配器、充电器和SMPS备用电源等领域。
电源模块MOS管1200v,KNX42120A参数
漏源电压：1200V
漏极电流：3A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：12A
雪崩能量单脉冲：100MJ
最大功耗：75W
输入电容：860PF
输出电容：22PF
开通延迟时间：17nS
关断延迟时间：23nS
上升时间：6ns
下降时间：11ns
电源模块MOS管1200v,KNX42120A规格书
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