MOS管23a 1200v,KNK74120A场效应管,逆变器专用-KIA MOS管
KNK74120A场效应管23a 1200v
KNK74120A场效应管采用高级平面工艺，漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，RDS（ON）=480mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗以及加固多晶硅栅极结构，KNK74120A场效应管封装形式：TO-264。
KNK74120A场效应管23a 1200v参数
漏源极电压：1200V
漏极电流：23A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：92A
雪崩能量单脉冲：1600MJ
最大功耗：585W
输入电容：7350PF
输出电容：556PF
开通延迟时间：60nS
关断延迟时间：64nS
上升时间：112ns
下降时间：100ns
KNK74120A场效应管23a 1200v规格书
1200V的额定电压使得MOS管能够承受较高的电压应用场景，导通电阻较小，降低功率损耗，提高系统效率；KNK74120A场效应管是无刷直流电机驱动器、电焊机、高效开关电源等应用领域的理想选择，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗。
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