广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

步进马达驱动MOS管,75nf75场效应管参数引脚图-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2024-01-31 

分享到:

步进马达驱动MOS管,75nf75场效应管参数引脚图-KIA MOS管


步进马达驱动,75nf75场效应管

步进电机驱动器采用单极性直流电源供电。只要对步进电机的各相绕组按合适的时序通电,就能使步进电机步进转动。


然而,步进电机不能直接接到工频交流或直流电源上工作,而必须使用专用的步进电机驱动器,它有脉冲发生控制单元、功率驱动单元、保护单元等组成。驱动单元与步进电机直接耦合,也可以理解成步进电机微机控制器的功率接口。MCU相当于是控制电机的大脑,它向分立器件发送电机的步距角时间、转动方向和重复次数等,而分立器件根据MCU发出的信号,将放大电压和电流并将其发送至电机,从而驱动电机转动。


有刷电机驱动核心电路H桥加上一些必要的外围电路,共同组成直流有刷电机的驱动器。集成电路形式的H桥,一般用于中小功率。分立元件形式的H桥,通常用于大功率或者超大功率需求,主要由MOSFET或IGBT晶体管组成。MCU的引脚,无法直接驱动MOS管等元件,需要加上专用的MOS管驱动芯片。直流有刷电机驱动芯片L298N,内部集成了两个H桥。L298N芯片,能够驱动4.5V~46V、2A以下电机,电流峰值输出达3A。实际应用中,不能通过交换电源线实现正转和反转的控制,可以用一个H桥电路来驱动电机。


从以上的作用可以看出,步进电机驱动器是一个非常重要的产品。因此选择好的MOS管才能保证产品的质量。


KIA75NF75场效应管漏源击穿电压为80V,漏极电流为80A,RDS(ON)参数为7mΩ(典型值)@VGS=10V,能够最大限度地减少导电损耗。这款场效应管还具备无铅和绿色设备的特点,符合环保要求。它采用了先进的技术,以确保低Rds开启,减少了导电损耗,使其具备更高的效率。KIA75NF75场效应管还具备高雪崩电流的特点,可以在运行时承受更高的冲击负载,提供更稳定和可靠的性能。


在电源方面,KIA75NF75场效应管非常适用于DC-DC转换器。它可以在转换电路中高效地实现能量转换,并满足不同应用的供电需求。同时,它还能够在各种高压、大电流的场景中保持稳定的工作,为整个系统提供可靠的电源支持。


步进马达驱动,75nf75场效应管引脚图

步进马达驱动,75nf75场效应管

步进马达驱动,75nf75场效应管参数

漏源电压:80V

漏极电流:80A

栅源电压:±25V

脉冲漏电流:340A

雪崩能量单脉冲:529MJ

最大功耗:240W

输入电容:3110PF

输出电容:445PF

开通延迟时间:20.4nS

关断延迟时间:67nS

上升时间:63ns

下降时间:43ns


步进马达驱动,75nf75场效应管规格书

步进马达驱动,75nf75场效应管

步进马达驱动,75nf75场效应管

KIA75NF75场效应管以其出色的性能和功能,在各种电子设备中发挥着重要作用。它的低导通损耗、高雪崩电流和环保特性使其成为一款理想的选择,既满足了能量传输的高效率要求,又符合了环境保护的需求。


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。