调光器模块mos管,KNX7650A场效应管,500V 25A参数资料-KIA MOS管
调光器模块mos管,KNX7650A场效应管
KNX7650A场效应管采用高级平面工艺制造，具备漏源电压500V和漏极电流25A的特性，RDS（ON）（典型值）为170mΩ@VGS=10V，封装形式：TO-220F、TO-3P；KNX7650A是一款在电气设备、调光器模块、充电模块领域的专用MOS管。
KNX7650A场效应管采用了加固多晶硅栅极结构，具备低栅极电荷最小化和开关损耗低的特点，使其能够在高效开关电源、无刷直流电机驱动器以及电焊机等应用中发挥重要作用。通过使用KNX7650A场效应管，可以使这些设备的性能得到提升，同时还能提高系统的效率。
调光器模块mos管,KNX7650A场效应管参数：
漏源电压：500V
漏极电流：25A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：100A
雪崩能量单脉冲：1800MJ
最大功耗：105/290W
输入电容：4280pF
输出电容：1400pF
反向转移电容：185pF
开通延迟时间：24nS
关断延迟时间：100nS
上升时间：40ns
下降时间：35ns
调光器模块mos管,KNX7650A场效应管规格书
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