充电模块,500v 13a mos管,KNX6450A场效应管参数-KIA MOS管
充电模块,500v 13a,KNX6450A
KNX6450A场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON），典型=0.40Ω@VGS=10V；具备低栅极电荷，最小化了开关损耗，能够稳定可靠地工作，同时具备快速恢复体二极管，提供了更高效的性能表现。
KNX6450A功率MOSFET封装形式：TO-220、TO-220F，专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于欧姆桥拓扑的电子灯镇流器；以及在电气设备、调光器模块、充电模块广泛应用。
充电模块,500v 13a,KNX6450A参数
漏源电压：500V
漏极电流：13A
栅源电压：±30V
脉冲漏极电流：52A
雪崩能量：900mJ
耗散功率：195W
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：2149PF
输出电容：211PF
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：46nS
上升时间：24ns
下降时间：34ns
充电模块,500v 13a,KNX6450A规格书
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