irf830场效应管参数,引脚图,830场效应管参数代换-KIA MOS管
irf830场效应管参数,引脚图
漏源电流（IDSS）：4.5A
漏源击穿电压（AV(BR)DSS）：500V
内阻（RDS(ON)Ω）：1.5Ω
最大耗散功率（PD）：74W
通态电流（VRDS(ON)）：2.7A
栅极电压（VGSO）：10V
开启电压（VGS(th)）：2~4V
开启电流（VRDS(on)栅极电压）：250μA
irf830场效应管参数,KIA830场效应管
HD安定器热销型号KIA830场效应管具有漏源电压高达500V和漏极电流达到5A的强大性能，其开启状态下的电阻为1.0Ω，能够提供稳定可靠的电流流动。KIA830场效应管封装形式有：TO-220、TO-252两种，方便安装使用，同时，它还符合RoHS环保要求，具有低电阻和低栅极电荷的特点，使其在适配器、充电器和SMPS备用电源等应用中表现出色，稳定可靠地为设备提供所需的电源支持。无论是在峰值电流或脉冲宽度方面，KIA830场效应管都能够表现出卓越的性能曲线。它的出色性能和可靠性使得它成为广泛应用于各种电源设备中的优选选择。
irf830场效应管参数,KIA830场效应管参数
漏源电压：500V
漏极电流：5A
栅源电压：±20V
最大功耗：100W
开启电压：2~4V
输入电容：730PF
输出电容：80PF
开通延迟时间：13nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：15ns
下降时间：20ns
irf830场效应管参数,KIA830场效应管规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
