30n50场效应管参数,代换,8150A场效应管30A 500V-KIA MOS管
30n50场效应管参数
漏源电压Vds：500V
栅源电压Vgs：±30V
连续漏极电流Id，Tc=25℃：30A
连续漏极电流Id，Tc=100℃：18A
功率损耗Pd：300W
导通电阻ID=15A,VGS=10V：Typ:160mΩ，Max 200mΩ
30n50场效应管参数,KNH8150A参数资料
KNH8150A场效应管采用高级平面工艺，漏源电压500V，漏极电流30A，RDS（ON）=150mΩ（典型值）@VGS=10V；具备低栅极电荷最小化开关损耗，能够稳定可靠地工作，加固多晶硅栅极结构，提供了更高效的性能表现。
KNH8150A场效应管广泛应用于开关电源、控制器、逆变器等领域，非常稳定可靠，能够替代30n50型号场效应管进行使用，KNH8150A封装形式：TO-3P。
30n50场效应管参数,KNH8150A参数
漏源电压：500V
漏极电流：30A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：120A
雪崩能量单脉冲：2000MJ
最大功耗：333W
输入电容：4152PF
输出电容：506PF
反向传输电容：85PF
开通延迟时间：35nS
关断延迟时间：109nS
上升时间：116ns
下降时间：75ns
30n50场效应管参数,KNH8150A规格书
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