4n60场效应管参数代换,开关电源适配器专用MOS管-KIA MOS管
4n60场效应管参数引脚图
KIA4N60H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。
KIA4N60H场效应管漏源电压600V，漏极电流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具备低栅极电荷（典型值为13.5nC）最小化开关损耗，高坚固性，快速切换能力，指定雪崩能量，改进的dv/dt能力，能够稳定可靠地工作，提供更高效的性能。KIA4N60H场效应管广泛应用于LED、开关电源、适配器等领域，具有多种封装形式：TO-251、252、262、220、220F可供选择，方便安装使用。
4n60场效应管参数
漏源电压：600V
栅源电压：±30A
漏电流连续：4.0A
脉冲漏极电流：16A
雪崩能量：180mJ
耗散功率：93/31/55W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：600V
温度系数：0.6V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：500PF
输出电容：45PF
上升时间：32ns
4n60场效应管参数规格书
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