6n60场效应管,6n60场效应管参数,4560A中文资料-KIA MOS管
6n60场效应管参数引脚图
正向电流：6A
反向耐压：600V
漏极和源极电压(VDSS)：600V
漏极和源极通态电阻(RDS(on))：1.2Ω
耗散功率(PD)：125W
6n60场效应管参数代换,KND4560A资料
KND4560A场效应管漏源电压600V，漏极电流6A，RDS（ON）为1.4Ω（在VGS=10V时的典型值）；具有TO-251、252封装形式可供选择，方便安装使用。KND4560A能够替代士兰微、ST、华晶的SVF6N60D、STF6N60、CS6N60A3型号进行使用，是一款优质稳定、性价比高的国产MOS管。
KND4560A采用低栅极电荷最小化设计，能够快速开关，保证电路的稳定性；快速恢复体二极管，有效防止电压反向时的损坏，保护整个电路系统。符合RoHS标准，具有优良的性能和可靠性；能够有效降低开关损耗，提高电路效率。
6n60场效应管参数代换,KND4560A参数
漏源电压：600V
漏极电流：6A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.4Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：24A
雪崩能量单脉冲：250MJ
最大功耗：83W
输入电容：700PF
输出电容：75PF
反向传输电容：8PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：32nS
上升时间：13ns
下降时间：16ns
6n60场效应管参数代换,KND4560A规格书
KND4560A场效应管适用于适配器、充电器、SMPS备用电源等多种场合，广泛应用于电源管理、电子设备及工业控制等领域。其性能稳定可靠，反应速度快，能够满足高效能、高频率等需求。小巧的封装设计，使其在电路板上占据较小空间，有利于整体设计的紧凑性。优化的工艺技术确保了其稳定性和可靠性，为各种电源管理应用提供了可靠的解决方案。
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