MOS管下拉电阻作用,栅源(G-S)极下拉电阻-KIA MOS管
MOS栅源(G-S)极下拉电阻有什么作用?
MOS是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通，外部干扰信号对G-S结电容充电，这个微小的电荷可以储存很长时间。
在试验中G悬空很危险，很多就因为这样爆管，G接个下拉电阻对地，旁路干扰信号就不会直通了，一般可以10~20K。这个电阻称为栅极电阻。
作用1：为场效应管提供偏置电压;
作用2：起到泻放电阻的作用(保护栅极G~源极S)。
首先第一个，“偏置电压”：
我们知道MOSFET一般栅极电压比源极电压高出一定的电压，才能够让其开启，这里的电压差被称为门源电压。
假使在这里没有电阻起到偏置电压的作用，那么 MOSFET 的源极电压会因为随着负载电流的变化而变化，导致门源电压出现变化，从而影响 MOSFET 工作状态。
当加入电阻以后，电阻会通过电压降来微MOSFET提供一个稳定的偏置电压，稳定 MOSFET 的工作状态。
第二个作用的原理分析，保护栅极G~源极S，场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极。这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，从而起到了保护场效应管的作用。
MOSFET栅极（G）-源极（S）的下拉电阻详细解释
MOSFET是高阻抗器件，在栅极（G）和源极（S）之间，存在一层绝缘体，即二氧化硅（SiO2）。MOS管有一个米勒效应，我们为了避免管子长时间停留在一个米勒平台上，会选择加速MOS管的导通与关断时间，减少开关的损耗。
一旦MOSFET驱动异常，米勒电容可能会通过电流给栅极（G）和源极（S）充电，接着小电流高阻抗对应着高电压，栅极电压被充电，如若超过门槛电压“Vgs(th)”，则易导致MOSFET重新开通，这是十分危险的。
下拉电阻对电荷的泄放路径
此外，当MOSFET用于开关电路时，在开关过程中，如果栅极电压没有及时降下来，极易导致MOSFET处于部分导通状态，随后产生大量的热量，造成MOSFET损坏。再栅极（G）和源极（S）之间增加一个适当的下拉电阻，能够起到加快栅极电压的下降速度的作用，从而保护MOSFET。
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