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8n60场效应管参数引脚图
KIA8N60是一种高压MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通状态电阻，并具有高的崎岖雪崩特性。8N60通常用于电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥接电路中的高速开关应用。
KIA8N60场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，使其在高压环境下发挥稳定而强大的作用，其RDS（开）值仅为0.98Ω，在输入电压为10V时表现突出，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现出快速切换的能力，使其在开关电源、LED驱动领域有着广泛的应用前景。KIA8N60能够替代仙童、UTC等品牌8N60型号场效应管进行使用，封装形式： TO-220、220F。
KIA8N60场效应管经过雪崩能量测试，展现出了出色的稳定性和可靠性，适用于各种恶劣环境条件下的工作。其改进的dv/dt能力为其在高速切换过程中提供了保障，使其能够稳定而高效地工作，为设备的高效运行提供强有力的支持。
8n60场效应管参数,8n60参数
漏源电压：600V
漏极电流：7.5A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.98Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：30A
最大功耗：147/48W
输入电容：1000PF
输出电容：110PF
反向传输电容：12PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：80nS
上升时间：50ns
下降时间：70ns
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