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三级管和MOS管的区别,图文详解-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2024-02-29 

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三级管和MOS管的区别,图文详解-KIA MOS管


三级管简介

三极管是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。


三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

三级管,MOS管,区别

晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负电荷的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正电荷的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。


MOS管简介

mos管是金属(metal)氧化物(oxide)半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。

三级管,MOS管,区别

MOS场效应管一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。


场效应管的输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。


三级管和MOS管的区别

三级管,MOS管,区别

三级管和MOS管的结构不同,mos管的栅线是用绝缘层和金属网格构成的;而三极管是直接用硅片上的pn结把两个电极连接起来。


控制的区别:三极管是电流驱动的,较低的电压就可以驱动三极管,但是三极管需要较大的控制电流; 而MOS管是电压驱动的,驱动电压较高,但是驱动的功率小。


功耗区别:三极管在放大信号时损耗较大,MOS管电压控制,在开关应用中具有较低的导通电阻和功耗。


驱动能力:MOS管常用于大电流和高电压的开关应用,而三极管则适用于小电流和低电压的信号放大。


成本:三极管通常比MOS管便宜,因此更适用于分立元件电路和中、小规模集成电路。


温度特性:MOS管具有较好的温度稳定性和抗干扰能力。


应用方面:三极管主要用于放大信号,而MOS管则广泛应用于高速、低功耗的数字电路和电源开关。


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