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开关电源MOS管,LED驱动,KNX4660A参数7n60代换-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2024-02-29 

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开关电源MOS管,LED驱动,KNX4660A参数7n60代换-KIA MOS管



开关电源,LED驱动,KNX4660A

KNX4660A沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计,如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。


KNX4660A场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流7A,使其在高压环境下发挥稳定而强大的作用,RDS(ON),典型值=1.0Ω@VGS=10V,具有良好的导通性能;符合RoHS标准、低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性使其在开关电源、LED驱动领域有着广泛的应用前景。


KNX4660A能够替代仙童、UTC等品牌7N60型号场效应管进行使用,封装形式: TO-220、220F,具备出色的稳定性和可靠性,广泛应用于适配器、充电器、SMPS备用电源等设备中。

开关电源,LED驱动,KNX4660A

开关电源,LED驱动,KNX4660A参数

漏源电压:600V

漏极电流:7.0A

漏源通态电阻(RDS(on)):1.0Ω

栅源电压:±30V

脉冲漏电流:28A

雪崩能量单脉冲:550MJ

最大功耗:42/128W

输入电容:1120PF

输出电容:90PF

反向传输电容:10PF

开通延迟时间:10nS

关断延迟时间:17nS

上升时间:11ns

下降时间:10ns

开关电源,LED驱动,KNX4660A规格书

开关电源,LED驱动,KNX4660A

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