电机MOS管,KNG3404D,KNG3404D场效应管参数-KIA MOS管
电机MOS管,KNG3404D参数引脚图
KNG3404D场效应管漏极电流80A，漏源击穿电压为40V，具有出色的性能指标；RDS（ON）=4.4mΩ（典型值）@VGS=10V，极低的导通电阻，有助于降低功耗和提升效率；还具有改进的dv/dt能力以及低Crss，能够实现快速切换，同时经过100%雪崩测试，保证了其可靠性；适用于PWM应用、电源管理以及负载开关等场景。
KNG3404D场效应管是一款性能优越的电子器件，封装形式：DFN3*3；无论是在需要高效能管理的领域，还是在要求稳定可靠的环境中，KNG3404D场效应管都能展现出卓越的表现，满足各种需求。
电机MOS管,KNG3404D参数
漏源电压：40V
漏极电流：80A
漏源通态电阻(RDS(on))：4.4mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：320A
雪崩能量单脉冲：104MJ
最大功耗：36.7W
输入电容：3045PF
输出电容：388PF
反向传输电容：234PF
开通延迟时间：6nS
关断延迟时间：23nS
上升时间：17ns
下降时间：12ns
电机MOS管,KNG3404D参数规格书
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