6n65场效应管参数代换,6n65场效应管引脚图规格书-KIA MOS管
6n65场效应管参数引脚图
6n65场效应管漏极电流5.5A，漏源击穿电压为650V，RDS（ON）=1.9Ω @ VGS=10V；具有低栅极电荷，典型值为16nC，为电路设计提供了更多的灵活性；高坚固性，能够在各种环境条件下可靠工作，确保设备的稳定性和可靠性；以及快速切换能力，能够带来更高的效率和更快的响应速度；指定雪崩能量，保证在高压下的可靠性和稳定性；改进的dv/dt能力使得它在高速开关应用中表现出色，能够有效减少电路中的噪音和干扰，可以保证其稳定可靠的性能。
KIA6N65H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器适用于多种电子应用领域，封装形式：TO-252，能够替代其他品牌6n65型号。
6n65场效应管参数代换,6n65参数
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
漏电流连续：5.5A
脉冲漏极电流：16.0A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：80W
热电阻：50*（110）℃/W
漏源击穿电压：650V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：620 PF
输出电容：65 PF
上升时间：45 ns
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