12n65场效应管参数代换,12n65场效应管引脚图-KIA MOS管
12n65场效应管参数引脚图
KIA12N65H N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。KIA12N65H场效应管漏极电流12A，漏源击穿电压650V，RDS（on）为0.63?，在VGS为10V时表现出色、低栅极电荷，典型值为52nC，使得它在高频率下仍能表现稳定、快速切换能力在电路中能够迅速响应信号变化，确保信号传输的准确性、雪崩能量规定和改进的dv/dt能力增强了稳定性及安全性，保障电路运行的稳定性。
KIA12N65H封装形式：TO-220F，适用于开关电源和LED驱动等场景，使其在各种应用中都能够发挥出色的效果。KIA12N65H场效应管不仅在性能上有着出色的表现，同时在稳定性和安全性方面也具备了极高的标准，能够满足各种复杂电路的需求。
12n65场效应管参数详情
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
漏电流连续：12.0*A
脉冲漏极电流：48.0*A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：650V
温度系数：0.7V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1850 PF
输出电容：180 PF
上升时间：90 ns
12n65场效应管参数规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
