3n80c场效应管参数,3n80c场效应管代换,中文资料-KIA MOS管
3n80c场效应管参数引脚图
ID（最大漏源电流）：3.0A
V(BR)DSS（漏源击穿电压）：800V
RDS(ON)（漏源导通内阻）为4.8Ω
PD（最大耗散功率）：39W
VGS(th)（开启电压阈值）：3~5V
KIA3N80H场效应管性能优越，漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，表现出强大的功率承受能力；在开启状态下，静态电阻RDS为4.8Ω，在栅极电压为10V时具有稳定的电气特性；低栅极电荷为13nC，确保了快速的响应速度；还具有高坚固性，能够在恶劣环境下可靠工作；以及具备改进的dv/dt能力，能够有效降低开关时的干扰。3n80适用于开关电源和LED驱动等领域，为电子设备的稳定运行提供了可靠保障。
KIA3N80H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。
3n80c场效应管参数详情
漏源电压：800V
漏极电流：3.0A
漏源通态电阻(RDS(on))：4.8Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：12A
雪崩能量单脉冲：320MJ
最大功耗：39W
输入电容：543PF
输出电容：54PF
总栅极电荷：13nC
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：22.5nS
上升时间：43.5ns
下降时间：32ns
3n80c场效应管参数规格书
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手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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