mmbt5551参数,mmbt5551引脚图,mmbt5551规格书-KIA MOS管
mmbt5551参数,引脚图
集电极最大耗散功率（PCM）：0.225 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.6 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：180 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：160 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：6 V
封装：SOT-23
mmbt5551参数详情参考：
频率：300 MHz
额定电压(DC)：160 V
额定电流：600 mA
耗散功率：350 mW
击穿电压(集电极-发射极)：160 V
最小电流放大倍数(hFE)：80 @10mA, 5V
额定功率(Max)：350 mW
直流电流增益(hFE)：80
耗散功率(Max)350 mW
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
外形尺寸：
长度2.92 mm
宽度1.3 mm
高度0.93 mm
mmbt5551参数规格书
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