9n90c场效应管参数,9n90c代换,9n90参数引脚图-KIA MOS管
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漏源电压：900V
栅源电压：±30V
漏电流连续：9.0A
脉冲漏极电流：36A
雪崩能量：900mJ
耗散功率：280W
热电阻：40℃/W
漏源击穿电压：900V
栅极阈值电压：3.0V
输入电容：2780 PF
输出电容：228 PF
上升时间：130 ns
封装形式：TO-3P、247、220F
9n90 N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进的技术经过专门定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
KIA9N90场效应管是一款性能卓越的功率器件，具有9A的电流承受能力和高达900V的电压额定值；RDS（开启）仅为1.12Ω，在VGS=10 V时表现出色；具有低栅极电荷，典型值为70 nC，以及低Crss，典型值为14pF，能够在电路设计中更加灵活可靠。
KIA9N90场效应管还具有快速切换的特点，能够在工作中实现高效率的转换；经过100%的雪崩测试，在极端条件下依然稳定可靠；改进的dv/dt能力使其在快速切换时具有更好的性能表现，有助于提高整个电路的响应速度和稳定性；符合RoHS标准，环保无污染，为电子设备提供稳定可靠的支持。
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