1n60场效应管参数,1n60参数引脚图,1n60中文资料-KIA MOS管
1n60场效应管参数,引脚图
KIA1N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高压、高速功率开关应用设计的，在开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器及继电器驱动器中，这款MOSFET都能发挥出色的性能。
1n60具有1A的电流承受能力和高达600V的耐压能力，且在VGS=10伏时的开态电阻仅为9.3Ω，确保稳定可靠的性能、低栅极电荷仅为5.0nC，在控制电荷时更加高效、还具备高坚固性、快速切换能力、指定雪崩能量和改进的dv/dt能力，能够保证设备在高负荷下运行时仍保持稳定性和可靠性。
1n60场效应管参数
漏源电压：600V
漏极电流：1A
漏源通态电阻(RDS(on))：9.3Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：4.0A
雪崩能量单脉冲：33MJ
最大功耗：28W
输入电容：120PF
输出电容：20PF
总栅极电荷：4.8nC
开通延迟时间：7nS
关断延迟时间：13nS
上升时间：21ns
下降时间：27ns
1n60场效应管参数规格书
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