低压mos管型号,选型,低压mos管用在什么产品-KIA MOS管
低压mos管用在什么产品上？
中低压MOSFET功率器件通常指工作电压为10V-300V之间的MOSFET 功率器件，中低压MOSFET功率器件结构通常包括沟槽栅VDMOS及屏蔽栅MOSFET。
低压mos管常见的场景：
开关电源的应用
马达控制应用
新能源汽车应用
智能家居、LED灯具的驱动等
在电动汽车领域，中低压MOS管被广泛应用于电池管理系统、电机控制器和车载充电器等设备中。
在智能家居和物联网领域，中低压MOS管能广泛应用于各种智能设备和传感器中，如智能插座、智能灯泡、智能门锁等。
5G通信、云计算和大数据等新兴领域的快速发展，中低压MOS管优良的性能和稳定性，成为了这些领域的理想选择。
低压mos管型号
KIA2300，漏源电压 Bvdss(v)：20，漏极电流 ID(A)：6，RDSON（mΩ）VGS=5V：0.03，N沟道，封装SOT-23，应用领域：智能家居、蓝牙耳机、蓝牙音箱、通讯设备
KIA2301，漏源电压 Bvdss(v)：-20，漏极电流 ID(A)：-2.8，RDSON（mΩ）VGS=5V：0.12，P沟道，封装SOT-23，应用领域：LED感应灯、玩具、蓝牙音箱
KIA2306，漏源电压 Bvdss(v)：30，漏极电流 ID(A)：3.5，RDSON（mΩ）VGS=5V：0.057，N沟道，封装SOT-23，应用领域：LED感应灯、玩具、蓝牙音箱
KIA3401，漏源电压 Bvdss(v)：-30，漏极电流 ID(A)：-4，RDSON（mΩ）VGS=5V：0.06，P沟道，封装SOT-23，应用领域：LED感应灯、玩具、蓝牙音箱
KIA4603A，漏源电压 Bvdss(v)：30，漏极电流 ID(A)：7，RDSON（mΩ）VGS=5V：0.0145，N沟道，封装SOP-8，应用领域：锂电池保护板/逆变器/智能医疗
KIA50N03A，漏源电压 Bvdss(v)：30，漏极电流 ID(A)：50，RDSON（mΩ）VGS=10V：9，N沟道，封装TO-252，应用领域：锂电池保护板/LED产品
KIA100N03A，漏源电压 Bvdss(v)：30，漏极电流 ID(A)：90，RDSON（mΩ）VGS=10V：4，N沟道，封装TO-252，应用领域：小功率LED/锂电池保护板
KIA2803A，漏源电压 Bvdss(v)：30，漏极电流 ID(A)：150，RDSON（mΩ）VGS=10V：3，N沟道，封装TO-263/220，应用领域：锂电池保护板/玩具
KIA2804N，漏源电压 Bvdss(v)：40，漏极电流 ID(A)：150，RDSON（mΩ）VGS=10V：4，N沟道，封装TO-263/220，应用领域：锂电池保护板、逆变器
KIA2404A，漏源电压 Bvdss(v)：40，漏极电流 ID(A)：190，RDSON（mΩ）VGS=10V：3.5，N沟道，封装TO-247，应用领域：光伏逆变/电鱼机
KIA30N06B，漏源电压 Bvdss(v)：60，漏极电流 ID(A)：25，RDSON（mΩ）VGS=10V：30，N沟道，封装TO-252/251，应用领域：HID车灯/LED驱动/医疗器械/警用单车防盗
KIA50N06B，漏源电压 Bvdss(v)：60，漏极电流 ID(A)：50，RDSON（mΩ）VGS=10V：12.5，N沟道，封装TO-220/252，应用领域：电源适配器,开关电源,UPS电源,车载功放,电动工具,HID安定器
KND3306B，漏源电压 Bvdss(v)：60，漏极电流 ID(A)：80，RDSON（mΩ）VGS=10V：8，N沟道，封装TO-252，应用领域：逆变器、混频离子机、锂电池保护板
KNB3206A，漏源电压 Bvdss(v)：60，漏极电流 ID(A)：110，RDSON（mΩ）VGS=10V：6.5，N沟道，封装TO-263/220/3P/252，应用领域：锂电池保护板、电源
KIA2906A，漏源电压 Bvdss(v)：60，漏极电流 ID(A)：130，RDSON（mΩ）VGS=10V：7，N沟道，封装TO-220/3P/247，应用领域：逆变器、汽车打火器/电脑适配器
KIA2806A，漏源电压 Bvdss(v)：60，漏极电流 ID(A)：160，RDSON（mΩ）VGS=10V：4.5，N沟道，封装TO-263/220/3P/247，应用领域：逆变器、锂电池保护板
KNP1906B，漏源电压 Bvdss(v)：60，漏极电流 ID(A)：230，RDSON（mΩ）VGS=10V：3.5，N沟道，封装TO-220，应用领域：光伏逆变/电鱼机/锂电池保护板
KIA3407A，漏源电压 Bvdss(v)：70，漏极电流 ID(A)：80，RDSON（mΩ）VGS=10V：11，N沟道，封装TO-220，应用领域：控制器、逆变器、锂电池保护板
KIA3508A，漏源电压 Bvdss(v)：80，漏极电流 ID(A)：70，RDSON（mΩ）VGS=10V：12，N沟道，封装TO-252/263/220，应用领域：电动车控制器/锂电池保护板
KNX3308A，漏源电压 Bvdss(v)：80，漏极电流 ID(A)：80，RDSON（mΩ）VGS=10V：9，N沟道，封装TO-252/263/220/247，应用领域：电动车控制器/逆变器/BMS保护板
KIA2808A，漏源电压 Bvdss(v)：80，漏极电流 ID(A)：150，RDSON（mΩ）VGS=10V：1.5，N沟道，封装TO-263/220/247/3P，应用领域：锂电池保护板/控制器、逆变器
KIA75NF75，漏源电压 Bvdss(v)：80，漏极电流 ID(A)：80，RDSON（mΩ）VGS=10V：9，N沟道，封装TO-220，应用领域：电动车控制器/逆变器/BMS
低压mos管型号选型
选择低压MOS管时，需要考虑以下几个关键因素：
沟道类型选择：在典型的功率应用中，低压侧开关通常使用N沟道MOS管，这是考虑到关闭或导通器件所需的电压。如果MOS管连接到总线及负载接地时，可能会使用P沟道MOS管。
额定电流：选择的MOS管额定电流应能满足负载在所有情况下的最大电流需求，并考虑到系统产生尖峰电流时的承受能力。
散热要求：必须计算系统的散热要求，并考虑最坏情况和实际情况。
开关性能：需要考虑影响开关性能的多个参数，如Vgsth（开启电压）、Rdson（导通时D-S端的直流电阻）等。
封装尺寸：选择与电路板大小相适且能通过所需电流的封装。
Vgsth（阈值电压）：对于NMOS管，这是一个关键参数，它决定了打开MOS管所需的电压。
Rdson（导通电阻）：希望这个参数越小越好，以减小MOS管的分压和热量产生。
最大VDS（漏极至源极间最大电压）：必须足够大，以覆盖整个工作温度范围内电压的变化，并考虑到其他安全因素。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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