场效应管6035参数,大功率350V,开关电源MOS管KIA6035A-KIA MOS管
场效应管6035参数,KIA6035A
KIA6035A功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
KIA6035A场效应管的漏源击穿电压高达350V，漏极电流可达11A，适用于各种高压应用场合，RDS（ON）仅为0.38Ω，在10V的VGS下表现出色、低栅极电荷，仅为15nC，有助于提高开关速度和效率、高坚固性和快速切换能力，能够在各种恶劣环境下稳定工作、还具有指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，确保在高压和高频率下依然可靠稳定，为电路设计提供稳定可靠的支持。KIA6035A封装形式：TO-252、TO-220。
场效应管6035参数,KIA6035A参数
漏源电压：350V
漏极电流：11A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.38Ω
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：36A
雪崩能量单脉冲：423MJ
最大功耗：99W
输入电容：844PF
输出电容：162PF
总栅极电荷：15nC
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：77nS
上升时间：23.5ns
下降时间：47.5ns
场效应管6035参数,KIA6035A规格书
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