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漏源电压：30V
漏极电流：30A
漏源通态电阻(RDS(on))：15mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：60A
雪崩能量单脉冲：72MJ
总功耗：25W
输入电容：572PF
输出电容：81PF
总栅极电荷：7.2nC
开通延迟时间：4.1nS
关断延迟时间：15.5nS
上升时间：9.8ns
下降时间：6.0ns
KIA30N03B是性能最高的沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。KIA30N03B符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性获得批准。
KIA30N03B场效应管具备出色的性能参数，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，具有超低的栅极电荷，RDS（开）参数为15mΩ @ VDS=30V，较低的导通电阻，有效减少能量损耗，出色的Cdv/dt效应下降，能够有效应对瞬态电压的变化，保障系统稳定性。
KIA30N03B场效应管100%的EAS保证，为用户提供更加可靠的保障，符合绿色设备标准，在环保节能方面表现出色，应用在同步降压变换器、DC-DC电源系统、负载开关时能够展现出卓越的性能，为设备的稳定运行提供有力的支持。30n03场效应管封装形式：TO-251、TO-252。
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