二极管伏安特性曲线特点图文分析-KIA MOS管
二极管伏安特性曲线
二级管的完整伏安特性如上图所示，说明如下：
（1） 在正偏时，当VD很小时，电流接几乎为0。当VD增大到一定阈值后（图中为0.7V左右），电流开始极快地以指数级增长（毫安级）。
（2） 在反偏时，反向饱和电流IS维持一个很小值（微安级），不随反偏电压变化。但是当反偏电压达到反向峰值电压PIV时，二极管反向击穿，反向电流急速增长。
上面的曲线也可以用公式来描述，称为肖克利方程：
各参数说明如下：
IS是反向饱和电流，一般通过查二极管的数据规格书得到，典型值在10-15~10-13A之间；
VD是偏置电压，正偏时为正，反偏时为负；
n为理想因子，其值范围可取1~2，一般我们取1；
VT为热电压，一般在常温下约为26mV。
虽然肖克利方程提供了计算二极管电流值的方法，不过一般在实际中我们不太会真用它去计算，因为根据二极管实际的伏安特性曲线和根据理论计算出的值有较大差距，所以一般我们都是以二极管的数据规格书提供的实际数据和曲线为准。
二极管伏安特性曲线特点
正向特性(外加正向电压，上图中X坐标的正半部分)
当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压。
在室温下，硅管的Ｖth约为0.5V，锗管的Ｖth约为0.1V。大于导通电压的区域称为导通区。
当流过二极管的电流Ｉ比较大时，二极管两端的电压几乎维持恒定，硅管约为0.6～0.8Ｖ（通常取0.7Ｖ），锗管约为0.2～0.3V（通常取0.2Ｖ）。
反向特性(外加正向电压，上图中X坐标的负半部分)
在反向电压小于反向击穿电压的范围内，由少数载流子形成的反向电流很小，而且与反向电压的大小基本无关。 此部分为截止区。
由二极管的正向与反向特性可直观的看出：①二极管是非线性器件；②二极管具有单向导电性。
反向击穿特性
当反向电压增加到某一数值ＶBR时，反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿。
温度影响：
温度升高时，正向压降减小，正向伏安特性左移。温度每升高1℃，二极管的正向压降减小2～2.5mV。
温度升高时，反向电流大约增加一倍，反向伏安特性下移。温度每升高10℃，反向电流大约增加一倍。
温度降低时，二极管的正偏导通阈值电压会升高，反偏电流会减小，反向击穿电压也减小。
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