高边驱动和低边驱动原理、区别详解-KIA MOS管
高边驱动和低边驱动
低边驱动(LSD): 在电路的接地端加了一个可控开关，低边驱动就是通过闭合地线来控制这个开关的开关。容易实现（电路也比较简单，一般由MOS管加几个电阻、电容）、适用电路简化和成本控制的情况。
高边驱动（HSD）：在电路的电源端加了一个可控开关。高边驱动就是控制这个开关的开关。高边驱动器的设计比同等的低边复杂一些，一个原因是它通常使用（NMOSFET）作为功率元件。
低边驱动通常用于与动力总成相关的负载，例如电机，加热器等；高边驱动经常用于燃油泵和车身相关功能，如座椅、照明、雨刷和风扇等。
高边驱动和低边驱动原理
低边驱动电路
低边驱动是指负载通过开关接地的驱动方式。低边驱动电路的特点：容易实现（电路也比较简单，一般由MOS管加电阻、电容）、适用电路简化和成本控制的情况。
高边驱动电路
高边驱动是指负载通过开关接电源的驱动方式。
高边驱动电路比低边驱动电路复杂一些，一个原因是它通常使用n沟道MOSFET作为功率元件。因为在相同的性能条件下，NMOSFET比PMOSFET的制造工艺简单，更加容易实现，且成本更低，具有价格优势。但是NMOSFET需要通过将栅极电压升高到漏极电压以上而导通，因此需要增加升压电路将栅极电压提升到足够的水平，这增加了驱动电路的复杂度。
高边驱动和低边驱动区别
高边驱动（HSD）：
位置：开关位于电路的电源端。
特点：适用于精密装置的仪器，设计相对复杂，布线成本低。通常需要增加自举电路。
应用：常用于燃油泵和车身相关功能，如座椅、照明、雨刷和风扇等。
低边驱动（LSD）：
位置：开关位于电路的接地端。
特点：实现较为简单，电路组成通常包括MOS管和几个电阻、电容，适用于电路简化和成本控制的情况。
应用：通常用于与动力总成相关的负载，例如电机、加热器。
具体区别：
设计复杂性：高边驱动设计通常比低边驱动复杂，因为高边驱动通常使用NMOSFET作为功率元件，而低边驱动则使用PMOS或NMOS。
成本：低边驱动实现成本较低，因为所需的电路元件较少。
应用场景：高边驱动适用于需要直接控制电源端的场景，如燃油泵和车身相关功能；低边驱动适用于需要控制接地端的场景，如电机和加热器。
故障响应：在汽车应用中，由于接地的金属板无处不在，短地故障比短电源故障更容易发生。低边驱动器在短地条件下会使负载开启，而高边驱动则在短地故障发生时不会使能负载。
PMOS适合作为高端驱动，NMOS适合作为低端驱动。但是由于工艺等各方面的原因。在大电流情况下，通常仍把NMOS作为高端驱动。于是，为了保证高端驱动的NMOS的Vgs保持大于开启电压。我们会使用半桥驱动芯片。半桥驱动芯片把高端驱动的NMOS的S极作为参考地，输出一个恒定的开启电压，来控制MOS的导通。
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